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型号 IRFH5220TR2PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
IRFH5220TR2PBF PDF
代理商 IRFH5220TR2PBF
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 99.9 毫欧 @ 5.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1380pF @ 50V
功率 - 最大 3.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装 PQFN（5x6）
包装 标准包装
其它名称 IRFH5220TR2PBFDKR
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